| Deutsch | Deutsch Entstehung und Wachstum der Whisker durch Überleiten von nassem Wasserstoff über GaP bzw. Ga-Ausgangsmaterial bei 1100°C. Wachstumsunterbrechung durch Ga-Tröpfchen an den Whiskerspitzen, Bildung von Verwachsungen und Verzweigungen, Strecken geknickter oder gekrümmter Whisker. Zeitraffung. |
| Englisch | Englisch The film shows the growth of GaP whiskers which are obtained in the temperature range of 900 to 1050° C when wet hydrogen is passed ove GaP and Ga materials of about 1100° C. One can see in detail the termination of whisker growth when Ga droplets appear on the whisker tips, the encapsulation of a Ga droplet by a GaP layer, the approach, fusion and common growth of two intersecting whiskers, the branching of whiskers, and the straightening of initially bent or kinked whiskers. |
