Bestand wählen
Merken

Spannungsrisstrennen von mono- und polykristallinem Silizium

Zitierlink des Filmsegments
Embed Code

Automatisierte Medienanalyse

Beta
Erkannte Entitäten
Sprachtranskript
Computeranimation
Computeranimation
Computeranimation
Computeranimation
Computeranimation
Wafer
Computeranimation

Metadaten

Formale Metadaten

Titel Spannungsrisstrennen von mono- und polykristallinem Silizium
Alternativer Titel fast laser induced separation of silicon wafer materials
Autor Weinhold, Sebastian
Mitwirkende Weinhold, Sebastian
Lizenz CC-Namensnennung - keine kommerzielle Nutzung 3.0 Deutschland:
Sie dürfen das Werk bzw. den Inhalt zu jedem legalen und nicht-kommerziellen Zweck nutzen, verändern und in unveränderter oder veränderter Form vervielfältigen, verbreiten und öffentlich zugänglich machen, sofern Sie den Namen des Autors/Rechteinhabers in der von ihm festgelegten Weise nennen.
DOI 10.5446/17095
Herausgeber Laserinstitut Hochschule Mittweida
Erscheinungsjahr 2014
Sprache Stummfilm
Produzent Weinhold, Sebastian
Produktionsort Labor 6 - Laserinstitut Hochschule Mittweida

Inhaltliche Metadaten

Fachgebiet Technik
Abstract Spannungsrisstrennen von mono- und polykristallinem Silizium Schritt 1: Anritzen des Siliziumwafers Schritt 2: Trennprozess mit defokussiertem Laserstrahl ausgehend vom Anriss (schmelzfrei, ohne Ablation, Scangeschwindigkeit im Video 1 m/s, ansonsten bis 15 m/s)
fast laser induced separation of silicon wafer materials
Schlagwörter Silicon
Spannungsrisstrennen
Silizium
Mittweida
Laserinstitut
LHM
Laser
Laser induced cutting
High speed Laser
Laser processing
Laser manufacturing
Siliziumwafer
Silicon wafer

Zugehöriges Material

Ähnliche Filme

Loading...
Feedback