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Spannungsrisstrennen von mono- und polykristallinem Silizium

Formale Metadaten

Titel
Spannungsrisstrennen von mono- und polykristallinem Silizium
Alternativer Titel
fast laser induced separation of silicon wafer materials
Autor
Mitwirkende
Lizenz
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Identifikatoren
Herausgeber
Erscheinungsjahr
Sprache
Produzent
ProduktionsortLabor 6 - Laserinstitut Hochschule Mittweida

Inhaltliche Metadaten

Fachgebiet
Genre
Abstract
Deutsch
Deutsch
Spannungsrisstrennen von mono- und polykristallinem Silizium Schritt 1: Anritzen des Siliziumwafers Schritt 2: Trennprozess mit defokussiertem Laserstrahl ausgehend vom Anriss (schmelzfrei, ohne Ablation, Scangeschwindigkeit im Video 1 m/s, ansonsten bis 15 m/s)
Englisch
Englisch
fast laser induced separation of silicon wafer materials
Schlagwörter
Deutsch
Deutsch
Englisch
Englisch